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濺射靶材
　　磁控濺射鍍膜是一種新型的物理氣相鍍膜方式，較之較早點(diǎn)的蒸發(fā)鍍膜方式，其很多方面的優(yōu)勢(shì)相當(dāng)明顯。作為一項(xiàng)已經(jīng)發(fā)展的較為成熟的技術(shù)，磁控濺射已經(jīng)被應(yīng)用于許多領(lǐng)域。
　　磁控濺射原理：在被濺射的靶極(陰極)與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。
　　磁控濺射鍍膜靶材：
　　金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。
　　高純高密度建設(shè)靶材有：
　　濺射靶材（純度：99.9%-99.999%） 
　　1. 金屬靶材： 
　　鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。 
　　2. 陶瓷靶材 
　　ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。 

真空鍍
真空鍍主要包括真空蒸鍍、濺射鍍和離子鍍幾種類型，它們都是采用在真空條件下，通過(guò)蒸餾或?yàn)R射等方式在塑件表面沉積各種金屬和非金屬薄膜，通過(guò)這樣的方式可以得到非常薄的表面鍍層，同時(shí)具有速度快附著力好的突出優(yōu)點(diǎn)，但是價(jià)格也較高，可以進(jìn)行操作的金屬類型較少，一般用來(lái)作較高檔產(chǎn)品的功能性鍍層，例如作為內(nèi)部屏蔽層使用。
真空蒸鍍：在高真空下，通過(guò)金屬細(xì)絲的蒸發(fā)和凝結(jié)，使金屬薄層附著在塑膠表面。 真空蒸鍍過(guò)程中金屬(最常用的鋁)的熔融，蒸發(fā)僅需幾秒鐘，整個(gè)周期一般不超過(guò)15MM，鍍層厚度為0.8-1.2uM。設(shè)計(jì)真空蒸鍍塑料制品應(yīng)避免大的平坦表面，銳角和銳邊。凹凸圖案、紋理或拱形表面效果最佳。真空蒸鍍很難獲得光學(xué)平面樣制品表面。不過(guò)鍍層附著力比水鍍差很多。A9手機(jī)的面殼鍍銅后鍍LOU，共10μ，鍍LOU層0.18μ。真空電鍍相對(duì)于水電鍍來(lái)講，表面硬度較低，但污染較小。真空鍍不導(dǎo)電。目前水電鍍?cè)谥毓I(yè)上應(yīng)用較多（汽車等），而真空電鍍則廣泛應(yīng)用于家用電器、化妝品包裝。如果真空電鍍的硬度能達(dá)到水電鍍的等級(jí)，那么水電鍍將要消失了。目前很多手機(jī)上的金屬外觀件，都采用PVD真空離子鍍，不僅能夠提供漂亮的顏色而且耐磨性很好。不過(guò)比較貴，成本較高。
濺射鍍：磁控濺射鍍膜設(shè)備：磁控濺射鍍膜設(shè)備是一種多功能、高效率的鍍膜設(shè)備?？筛鶕?jù)用戶要求配置旋轉(zhuǎn)磁控靶、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶、直流脈沖疊加式偏壓電源等，組態(tài)靈活、用途廣泛，主要用于金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷等）的工件鍍鋁、銅、鉻、鈦金、銀及不銹鋼等金屬膜或非金屬膜及滲金屬DLC膜，所鍍膜層均勻、致密、附著力強(qiáng)等特點(diǎn)，可廣泛用于家用電器、鐘表、工藝美術(shù)品、玩具、車燈反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層。
a旋轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜機(jī)；旋轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜技術(shù)，是國(guó)內(nèi)外最先進(jìn)的磁控濺射鍍膜技術(shù)，靶材利用率達(dá)到70～80%以上，基體鍍膜均勻，色澤一致。
b平面磁控濺射鍍膜機(jī)；
c中頻磁控濺射鍍膜機(jī)；
d射頻磁控濺射鍍膜機(jī)。可以在金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷）的工件鍍金屬鋁、銅、鈦金、鋯、銀、不銹鋼及金屬反應(yīng)物（氧化物、氮化物、炭化物）、半導(dǎo)體金屬及反應(yīng)物。所鍍膜層均勻、致密、附著力好等特點(diǎn)。
一、 單室/雙室/多室磁控濺射鍍膜機(jī)
該鍍膜機(jī)主要用於各種燈飾、家電、鍾表、玩具以及美術(shù)工藝等行業(yè)，在金屬或非金屬（塑料、玻璃、陶瓷）等制品鍍制鋁、銅、鉻、鈦、鋯、不銹鋼等系列裝飾性膜層。
技術(shù)指標(biāo)：
真空室尺寸：可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成單室或雙室或多室
極限壓力：8×10-4Pa
恢復(fù)真空度時(shí)間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min（根據(jù)用戶要求定）
工作真空度：10～1.0× 10-1Pa
工藝氣體進(jìn)入裝置：質(zhì)量流量控制器（可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀）
轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式：公 / 自轉(zhuǎn)工件架
濺射源：矩形平面濺射源（1～4個(gè)）/柱狀濺射源（1個(gè)）/混合濺射源可以選配：基片烘烤裝置；反濺射清洗
二、 單室/雙室/多室磁控反應(yīng)濺射鍍膜機(jī)
該鍍膜機(jī)主要用於太陽(yáng)能吸熱管所需要的鍍膜涂層（如Al—N/Al或Cu—C/1Cr18Ni9Ti）；高級(jí)轎車後視鏡鍍膜（藍(lán)玻）；裝飾仿金、七彩鍍膜；透明導(dǎo)電膜（ITO膜）；保護(hù)膜。
技術(shù)指標(biāo)：
真空室尺寸：可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成單室或雙室或多室
極限壓力：8×10-4Pa
恢復(fù)真空度時(shí)間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根據(jù)用戶要求定）
工作真空度：10～1.0× 10-1Pa
工藝氣體進(jìn)入裝置：質(zhì)量流量控制器（可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀）
工作氣路：2路或3路
轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式：公 / 自轉(zhuǎn)工件架
濺射源：矩形平面濺射源（1～4個(gè)）/柱狀濺射源（1個(gè)）/混合濺射源
三、 多功能鍍膜機(jī)
設(shè)備基本配置：
真空室
工件轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)

真空抽氣系統(tǒng)

工作氣體供氣系統(tǒng)

濺射系統(tǒng)：平面濺射/柱狀濺射/中頻濺射/射頻濺射系統(tǒng)

動(dòng)系統(tǒng)

控制系統(tǒng)

冷卻系統(tǒng)

技術(shù)指標(biāo)：

真空室尺寸：φ600×800 φ850×1000 φ1000×1200 φ1100×1500 可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成箱式

極限壓力：8×10-4Pa

恢復(fù)真空度時(shí)間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根據(jù)用戶要求定）

工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

工藝氣體進(jìn)入裝置：質(zhì)量流量控制器（可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀）

工作氣路：2路或4路

轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式：公 / 自轉(zhuǎn)工件架

濺射源：矩形平面濺射源（1～4個(gè)）/柱狀濺射源（1個(gè)）/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源

用途：本設(shè)備應(yīng)用磁控濺射原理，在真空環(huán)境下，在玻璃、陶瓷等非金屬；半導(dǎo)體；金屬基體上制備各種金屬膜、合

金膜、反應(yīng)化合物膜、介質(zhì)膜等等。

四、實(shí)驗(yàn)系列磁控濺射鍍膜機(jī)

技術(shù)指標(biāo)：

真空室：φ450×400

極限壓力：5×10-5Pa

工作壓力：1～1.0× 10-2Pa

真空系統(tǒng)主泵：渦輪分子泵

陰極靶數(shù)量：2～5個(gè)

工作氣體控制：質(zhì)量流量控制器，自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀

工作氣路：2路或4路

靶電源：直流磁控濺射源（10000W），

中頻電源（10000W），

射頻電源（2000W）。

工件轉(zhuǎn)動(dòng)：行星式公自轉(zhuǎn)

工件負(fù)偏壓：/

性能特點(diǎn)：磁控靶數(shù)量多，靶材種類變化大，各種參數(shù)變化范圍大，所鍍制膜層有金屬、合金、化合物，可鍍制單

層或多層膜。

五、中頻磁控濺射鍍膜機(jī)

中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)是磁控技術(shù)另一新里程碑,是鍍制化合物（氧化物、氮化物、碳化物）系膜的理想設(shè)備，

徹底克服了靶打弧和中毒現(xiàn)象,并具濺射速率快、沈積速率高等優(yōu)點(diǎn),適合鍍制銦錫合金（ITO）、氧化鋁（AL2O3）

、二氧化硅（SiO2）、氧化鈦（TiO2）、氧化鋯（ZrO2）、氮化硅（Si3N4）等，配置多個(gè)靶及膜厚儀,可鍍制多種多

層膜或合金膜層。

六、射頻磁控濺射鍍膜機(jī)

具有濺射速率高，能鍍?nèi)魏尾牧希▽?dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)材料）。在低氣壓下等離子體放電，膜層致密，針孔少。

主要技術(shù)參數(shù)

真空室尺寸：F500´450（mm）

極限真空度：優(yōu)於4´10- 4 Pa （3´10- 6Torr）

濺 射 靶： F 100mm磁控濺射源三只濺

射功率： 直流5千瓦，射頻2千瓦